Er du lei av å vente minutter på at PCen din starter? Snart er det slutt på ventetiden.
Nyt stadium
Det mener i hvert fall et knippe forskere ved tyske Physikalisch-Technische Bundesanstalt som har utviklet MRAM (Magnetic Random Access Memory).
Nå har forskerne videreutviklet teknologien til et nytt stadium kalt ST-MRAM (Spin Torque MRAM)
Klarer seg uten strømtilførsel
MRAM består av magnetiske staver som er så små at vi bare snakker om noen atomers tykkelse. Stavene bygges i et gittermønster der stavene i én retning har fast spenning, mens de motgående har varierbar spenning.
Annonse
Minnet klarer seg uten ekstern strøm, og mister dermed ikke informasjon når spenningen forsvinner, slik tilfellet er med dagens minne (SRAM og DRAM).
Ballistisk videreutvikling
I utgangspunktet er ST-MRAM bare en tidel så raskt som tradisjonelt SRAM. men ved hjelp av en teknikk Scumacher kaller «ballistic switching».
Med denne teknologien oppnås oppnår man skrivehastigheter på over 1GHz. I tillegg kan nå brikkene gjøres mye mindre enn før, og kan dermed komme ned i samme størrelse som dagens minnebrikker.
Noen år unna
– I framtida vil ST-MRAM-brikker ha mange anvendelsesområder. De er raske, de har stor lagringstetthet og er ikke-volatile. Dagens brikker kan ikke tilby denne kombinasjonen av funksjoner, sier Schumacher.
Det vil trolig gå ennå noen år før ST-MRAM blir en realitet i PCer som faktisk selges i butikkhyllene.
– Som med all ny teknologi er det noen problemer som må løses før den kan introduseres i markedet, sier Schumacher.
Annonse
