Hopp til navigasjon Hopp til innhold
IBM-forskeren Janusz Nowak med en MRAM-plate. (Ill.: IBM)

Nytt lagringsformat er 100 000 ganger raskere enn flashminne

IBM håper å få i gang masseproduksjon om tre år.

Hvis du trodde at SSD-er var raske, bør du følge ekstra godt med på MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory).

Nytt lagringsformat
Dette er et helt nytt lagringsformat som utvikles i samarbeid mellom Samsung og IBM. Tankten bak prosjektet er å utvikle et raskere alternativ for NAND, og MRAM skal brukes i mobile enheter, sensorer og ting som smartklær (wearables).

Bak ligger teknikken kalt «spin-transfer torque» (stt) for de nye kretsene og de lages med en 11-nm-teknikk.

Samsung annonserte nylig et minnekort som parkerer microSD.

Superhastighet
I ferske tester er MRAM helt overlegen flashminnet NAND. Daniel Worledge, ansvarlig for utvikling av MRAM ved IBM Research, forteller til IDG News at MRAM er 100 000 ganger raskere på skriving enn NAND-flash. Tiden er på 10 nanosekunder.

Lesehastigheten skal være 10 000 ganger raskere.

«Det er viktig ettersom det nå blir mer attraktivt å utvikle MRAM sammenlignet med andre minnetyper. Det trengs mer forskning, men det er mulighet for å sette det i gang», uttaler han til IDG News.

Ingen DRAM-erstatter
Tanken til IBM og Samsung er ikke at MRAM skal erstatte DRAM, i stedet sikter de på at det skal ta over for flashminne. Ikke er MRAM bare raskere, men det har heller ikke begrensninger når det kommer til antall lesninger og skrivinger.

«Flashminne i digitale kameraer kan brukes i rundt 10 000 skrivinger før de slites ut. Det holder for å ta bilder, men et slikt minne ville blitt utslitt på et sekund hvis det skulle bli brukt som arbeidsminne», forklarer Worledge til IDG News.

IBM håper nå å få i gang masseproduksjonen av MRAM om tre år. Det skal gjøres sammen med en partner og det kan godt bli Samsung.

 

Kilder:
IDG,
IBM

Stikkord: ibm, minne, mram, samsung