Samsung DDR5
RDIMM kan utstyre en server-CPU med over 12 TB DDR5-minne.

Annonse


Samsung utvikler ekstrem DDR5 minneteknologi

Samsung opplyste i uken som gikk at selskapet utvikler 24 Gb DDR5-minneenheter. Slike IC’er (integrerte kretser) vil gjøre det mulig for selskapet å bygge minnemoduler for servere med kapasitet på opptil 768 GB og høykapasitets minneløsninger for klient-pc’er. I tillegg avslørte Samsung noen særegenheter ved sin DRAM-teknologi. 

24 GB DDR5-chips under utvikling 

For å imøtekomme etterspørselen fra cloud-virksomheter utvikler vi også et DDR5-produkt med maksimalt 24 Gb.

Samsung

Samsung har allerede demonstrert sin 512 GB DIMM-minnemodul (RDIMM) som anvender 32 16 GB-stabler basert på åtte 16 GB DRAM-enheter. 

12 TB minne

Ved å bruke 24 GB minne-IC’er i 8-Hi-stabler kan Samsung øke kapasiteten på en stabel til 24 GB og kapasiteten på 32-chipmodulen til 768 GB. Ved hjelp av RDIMM kan en server-CPU med åtte minnekanaler og støtte for to moduler pr. kanal, utstyres med over 12 TB DDR5-minne. For å sette tallet i kontekst kan dagens Intel Xeon skalerbare “Ice Lake-SP”-CPU som er designet for minnekrevende arbeidsmengder, støtte opptil 6 TB DRAM. 

Utover dette kan Samsung bygge 96 GB-, 192 GB- og 384 GB-moduler til mainstream- og ultra-tette servere som ikke bruker mer enn én RDIMM pr. kanal, men som kan dra fordel av ekstra DRAM-kapasitet. 

Annonse


24 og 48 GB DDR5-moduler

Til klientapplikasjoner kan bruk av 24 GB minnechips istedenfor 16 GB-IC’er, øke minnekapasiteten med 50 prosent, så forvent 24 GB og 48 GB DDR5-moduler på et tidspunkt. I mellomtiden bemerker Samsung at 16 Gb DDR5-enheter vil være mainstream, så selv om 24 GB-enheter vil bli brukt til klientapplikasjoner, er de ikke sånn like rundt hjørnet. 

En av de viktigste egenskapene DDR5-minne har utover økte dataoverføringshastigheter og ytelsesfremmende funksjoner, er muligheten til å øke kapasiteten pr. enhet helt til 64 Gb (opp fra 16 Gb i DDR4) samt stable opptil 8-16 DRAM’er (avhengig av kapasitet) i én chip (mot fire i DDR4).  

DRAM-krymping blir vanskeligere

Det er en utfordring at øke kapasiteten av minne-IC fra 16 Gb til 32 Gb ettersom det blir stadig vanskeligere å krympe DRAM-transistorer og kondensatorstrukturer. Nyere prosessteknologi gir ikke lenger håndgripelige forbedringer av node-til-node-tettheten. 

Samsung henviser for eksempel til sin mest avanserte DUV (Deep Ultraviolet)-produksjonsprosess som en 15 nm-node, mens den siste teknologien (D1a) som er basert på EUV (Extreme Ultraviolet) i fem lag, kalles 14 nm.  

Tidligere har selskapet ikke opplyst antallet EUV-lag D1a anvender. Ved å bruke EUV istedenfor DUV, krymper Samsung antallet prosesstrinn og DRAM-omkostningene. Samsung tester for tiden 14 nm D1a-basert 16 Gb DRAM med kunder og planlegger å starte masseproduksjon i annen halvdel av 2021. 

Når?

Samsung er første minneprodusent som forhåndsannonserer 24 Gb DDR5-IC’er og vil være blant de første til å utnytte slike DRAM-enheter med høy kapasitet. 

Av konkurransehensyn avslørte ikke Samsung noe tidsperspektiv på produksjonen av 24 Gb DDR5 DRAM og høykapasitets minnemoduler. For å imøtekomme det umiddelbare behov for DDR5-moduler med ultrahøy kapasitet når Intels Xeon Scalable “Sapphire Rapids”-prosessorer kommer på markedet i midten av 2022, har Samsung 16 Gb-baserte 512 GB RDIMM’er til testing hos serverkunder. 

Annonse


Annonse


Annonse


Annonse