Fordelene med Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM) er at den bruker mindre mindre strøm enn DRAM og SRAM, samt at hukommelsen bevares når man slår av maskinen.
Det første produktet vil være en minnebrikke på 32 Mb, som forventes å nå markedet i 2002. Denne brikken kan komme til å erstatte den nåværende MCP-modulen (multi chip package) i mobiltelefoner, som består av en SRAM-brikke og NOR flash memory.
For ikke lenge siden inngikk Infineon et samarbeid med IBM om utviklingen av såkalt magnetisk RAM, MRAM – en teknologi som retter seg mot et annet markedssegment enn FeRAM. MRAM-brikken kan lagre flere data enn FeRAM, men har til gjengjeld lavere hastighet. MRAM er ventet på markedet i 2004.
Annonse
