Den sørkoreanske giganten Samsung har nettopp annonsert at de har startet masseproduksjonen av «verdens første» DRAM-brikke 10-nanometerklassen.
Kraftpakke
Selskapet påpeker at bruken av terminologien «10nm-class» indikerer at det er snakk om en størrelse mellom 10 og 20 nanometer og ifølge ETNews er det snakk om 18 nanometer.
Fordelen med en mindre størrelse er at man kan tilby samme ytelse samtidig som brikken bruker mindre strøm.
Den nye DRAM-en støtter en dataoverføringshastighet på 3200 Mbps, til sammenligning hadde 20 nm DDR4 DRAM en maksimalhastighet på 2400 Mbps. I tillegg forbruker det nye minnet 20 prosent mindre strøm.
Annonse
Neste års toppmodeller
Samsungs rivaler, SK Hynix og Micron, er i ferd med å falle i bakleksa. Førstnevnte er ikke klare med 18 nm DRAM før tidlig i 2017, mens Micron jobber med en 16 nm-brikke som vil «knuse Samsung», men ingen vet riktig når den kommer.
De nye 10 nm-klasse DRAM-brikkene vil mest sannsynlig finnes i Samsungs mobile enheter i 2017.
Kilder:
Samsung,
Neowin,
ETNews
Annonse
