I en pressemelding kunngjør Samsung at de har startet masseproduksjonen av femte generasjon V-NAND-minne. Dette er lagringsbrikken som vil sitte i kommende flaggskiptelefoner fra en rekke produsenter.
Galaxy S10 først ut?
Samsung avslører at brikken har en lagringskapasitet på 256 GB og når hastigheter på inntil 1,4 Gbps – rundt 40 prosent raskere enn forgjengeren. I tillegg er den også mer strømgjerrig: spenningen er redusert fra 1,8 til 1,2 volt.
Av andre detaljer nevner Samsung den raskeste skrivehastigheten per dags dato ved 500 mikrosekunder som er en økning på 30 prosent sammenliknet med forrige generasjon.
Det er for tidlig å si hvilke enheter som får den nye V-NAND-brikken først, men ettersom den nå masseproduseres kan Galaxy S10 være et naturlig alternativ. Lanseringen av Galaxy Note 9 kommer trolig for tidlig.
Annonse
Kilde:
Samsung
Annonse
