I samarbeid med Micron har nå Intel annonsert 3D XPoint, som er den første nye kategorien minne på 25 år.
– Revolusjonerende
Teknologien ble utviklet fra grunnen av for å møte behovet minne med høy ytelse, høy bestandighet og høy kapasitet til en tilgjengelig pris, og Intel hevder at den skal være inntil 1000 gangere raskere og inntil 1000 ganger mer bestandig enn NAND-minne.
– Et av de største hindrene i moderne databehandling er tiden prosessoren bruker for å få tak i data som ligger på lagringsenheter. Denne nye minnekategorien er en revolusjonerende teknologi som åpner for rask tilgang til enorme datasett, og muliggjør helt nye applikasjoner, sier Mark Adams, President i Micron i pressmeldingen.
Minnecellene aksesseres og skrives eller leses ved å endre spenningen som sendes til hver velger. Dette eliminerer behovet for transistorer, noe som øker kapasiteten samtidig som kostnadene reduseres.
Annonse
Allerede i produksjon
Med både liten cellestørrelse, raskt vekslende velgere, en matrisestruktur med lav forsinkelse og en rask skrivealgoritme er cellene i stand til å skifte tilstand raskere enn noen eksisterende ikke-flyktig minneteknologi.
Selskapene avslører at 3D XPoint-teknologi er i produksjon nå.
Kilde:
Intel
Annonse
